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检测能力

半导体痕量污染控制能力

用于电子级化学品、UPW、晶圆表面和过程液中的金属离子、阴阳离子、有机碳、颗粒和残渣控制。

能力建设说明

半导体痕量污染控制能力需要同时确认检测项目、样品状态、通量要求、标准方法和记录方式。仪器系统应与前处理、耗材、安全条件、培训和复测记录同步配置。

能力建设说明

半导体痕量污染控制能力需要同时确认检测项目、样品状态、通量要求、标准方法和记录方式。仪器系统应与前处理、耗材、安全条件、培训和复测记录同步配置。

详细建设版本

用于电子级化学品、UPW、晶圆表面和过程液中的金属离子、阴阳离子、有机碳、颗粒和残渣控制。

典型检测项目

痕量金属阴阳离子TOC颗粒物不挥发残渣水分

仪器系统

ICP-MSICP-OES离子色谱TOC 分析仪液体颗粒计数器卡尔费休水分仪

交付重点

  1. 方法空白
  2. 检出限确认
  3. 高纯试剂与容器控制
  4. 客户内控规格映射
  5. 批次追溯

关联解决方案

提交实验室方案需求

请填写实验室类型、检测项目、目标标准、现有条件和预算阶段,提交后可获得配置建议、交付边界和资料清单。

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